Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici

30 novembre 2001
INFM - Istituto Nazionale per la Fisica della Materia

Posti:
1
Requisiti: diplomati universitari in fisica o ingegneria elettronica
Sede: dipartimento di ingegneria elettronica Roma Tre
Tema: Sviluppo della tecnologia per la realizzazione di giunzioni Schottky e contatti ohmici su film di diamante policristallino
Limite di età: nd
Importo: Lire 20.000.000 annui
Periodo di utilizzo: nd
Scadenza: 12 dicembre 2001 
Durata: 36 mesi

Condividi, commenta, parla ai tuoi amici.

30 novembre 2001

Ti potrebbero interessare anche

Registra la tua azienda su Guidasicilia
Registra la tua azienda su Guidasicilia
Registra la tua azienda su Guidasicilia
Registra la tua azienda su Guidasicilia